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2026

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CMP拋光前后，晶圓表面粗糙度白光干涉測量方案

1 引言化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制程中核心平坦化工藝，拋光前后晶圓表面微觀粗糙度直接影響后續(xù)光刻、鍍膜等工序良率，是管控制程精度的關鍵指標。傳統(tǒng)接觸式測...

09

2026

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05

Smr/Smr1/Smr2 支承長度率解讀，白光干涉儀粗糙度...

引言在精密機械配合、液壓密封結構、齒輪傳動及耐磨零部件加工領域，工件表面不僅需要控制基礎高低起伏粗糙度，更需精準把控微觀表面實體接觸承載能力。傳統(tǒng)高度類粗糙度參數(shù)...

09

2026

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白光干涉儀，晶圓級封裝/Bump鍵合3D輪廓測量

摘要隨著晶圓級扇出封裝、TSV互連及精密Bump鍵合工藝高速發(fā)展，芯片封裝朝著微型化、高密度、高精度集成方向快速升級。晶圓級Bump鍵合作為芯片互連的核心工序，凸...

09

2026

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鈣鈦礦電池死區(qū)寬度測量，白光干涉助力GFF提升

1 鈣鈦礦電池死區(qū)寬度成因及工藝影響鈣鈦礦電池組件規(guī)模化生產(chǎn)中，激光刻蝕形成的邊緣無效區(qū)域即為電池死區(qū)，主要位于P1、P2、P3刻蝕溝槽邊緣及電池片串間銜接位置。...

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