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2026

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MEMS芯片薄膜厚度異常的白光干涉儀溯源檢測及晶圓工藝隱患解...

薄膜厚度均勻性是決定MEMS芯片電學、力學性能穩定性的關鍵工藝指標。晶圓制備過程中，薄膜沉積、蝕刻、基材預處理等工序的參數波動，易造成膜厚偏差、局部厚薄不均等批量...

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2026

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06

微透鏡矢高尺寸失準，白光干涉儀判定結構成型工藝問題

一、微透鏡矢高工藝缺陷及傳統檢測局限矢高（Sag Height）是微透鏡核心幾何參數，定義為透鏡頂點至有效口徑端面的垂直高度，直接決定微透鏡焦距、數值孔徑及光學耦...

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2026

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06

基于白光干涉儀的晶圓表面粗糙度及加工工藝檢測分析

半導體超光滑晶圓構件是高端芯片、精密光學、激光系統的核心基礎元件，其CMP拋光、研磨等工序易產生納米級劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、面形畸變等微觀缺陷。傳統二維檢測設...

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2026

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白光干涉儀高精度檢測技術 優化光伏激光劃線量產良率

一、光伏激光劃線工藝質控痛點激光劃線是鈣鈦礦、晶硅薄膜等光伏電池單片互聯、P1/P2/P3結構化制備的核心工序，直接決定組件串聯質量與光電轉換性能[1]。受多層薄...

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