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    2. 新啟航半導體有限公司


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      05
      2026
      -
      06
      光學輪廓測量評估超臨界 CO?設備密封平面度防腐抗萃取(An...
      正文超臨界 CO?(Supercritical CO?,SCO?)高壓工況流體滲透性強,易萃取密封防護層組分,密封端面 \\ 平面度(Flatness)缺陷形成的...
      光學輪廓測量評估超臨界 CO?設備密封平面度防腐抗萃取(Anti-extraction)性能
      05
      2026
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      06
      鈣鈦礦薄膜激光劃線熱損傷控制與劃線公差精密管控工藝研究
      摘要鈣鈦礦光伏量產中,激光劃線產生的薄膜熱損傷是造成晶體畸變、組分流失、器件效率衰減的關鍵工藝缺陷。本文從皮秒激光參數優化 + 低溫氣氛退火實現熱損傷抑制,依托 ...
      鈣鈦礦薄膜激光劃線熱損傷控制與劃線公差精密管控工藝研究
      05
      2026
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      白光干涉儀(White Light Interferomet...
      一、研究背景超薄薄膜構件(Ultra-thin Film Component)是微納光學、半導體封裝(Semiconductor Packaging)、柔性電子(...
      白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)高精度表征下超薄薄膜(Ultra-thin Film)表面瑕疵與工藝誤差關聯性研究
      05
      2026
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      MEMS梳齒結構線寬齒距失準,白光干涉儀校準光刻制程修正尺寸...
      MEMS 慣性器件性能高度依賴梳齒電容尺寸精度,光刻量產受曝光能量波動、晶圓平整度、掩模形變、顯影速率差異影響,普遍產生梳齒線寬偏移、齒距不均、側壁傾斜等尺寸失準...
      MEMS梳齒結構線寬齒距失準,白光干涉儀校準光刻制程修正尺寸偏差
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