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        新啟航半導體有限公司


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        03
        2026
        -
        06
        USI 白光掃描:多層微納工件形貌檢測數據異常(Data A...
        本文基于商用白光干涉設備官方技術手冊、半導體微納檢測國標規范及公開招標技術參數,分析USI(通用掃描干涉,Universal Scanning Interfero...
        USI 白光掃描:多層微納工件形貌檢測數據異常(Data Abnormality)機理分析
        03
        2026
        -
        06
        基于白光干涉儀的超薄薄膜微觀形貌表征及晶圓檢測應用研究
        一、超薄薄膜加工工藝檢測痛點超薄薄膜構件是微納光學、半導體封裝、柔性電子器件的核心功能結構,其鍍膜、濺射、刻蝕等精密工序易產生納米級形貌缺陷,主要包含膜厚梯度偏差...
        基于白光干涉儀的超薄薄膜微觀形貌表征及晶圓檢測應用研究
        03
        2026
        -
        06
        MEMS結構側壁垂直度不良,白光干涉儀研判微結構成型故障
        側壁垂直度是MEMS微溝槽、懸臂梁等微結構的核心成型指標,直接決定器件鍵合精度、力學與電學性能。光刻、干法刻蝕等工序異常,易引發側壁傾斜、頂部擴口、底部縮徑等缺陷...
        MEMS結構側壁垂直度不良,白光干涉儀研判微結構成型故障
        03
        2026
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        06
        白光干涉儀在鈣鈦礦光伏激光劃線工藝的精密測量應用
        一、鈣鈦礦光伏激光劃線死區損耗痛點鈣鈦礦光伏組件規模化量產中,P1-P2-P3激光劃刻工藝形成的溝槽區域為電池發電死區,僅承擔電路隔離與導通作用,無光電轉換能力,...
        白光干涉儀在鈣鈦礦光伏激光劃線工藝的精密測量應用
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