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                      新啟航半導(dǎo)體有限公司


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                      白光干涉儀在鈣鈦礦電池激光刻蝕制程質(zhì)控中的精密檢測應(yīng)用
                      一、鈣鈦礦電池激光刻蝕制程核心質(zhì)控痛點(diǎn)激光刻蝕是鈣鈦礦電池模組串并聯(lián)結(jié)構(gòu)制備的核心工序,P1、P2、P3多級溝槽的納米級深度精度,直接決定電池刻蝕品質(zhì)、膜層絕緣性...
                      白光干涉儀在鈣鈦礦電池激光刻蝕制程質(zhì)控中的精密檢測應(yīng)用
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                      白光干涉儀在鈣鈦礦電池P1/P2/P3劃槽工藝質(zhì)控中的精密檢...
                      一、工藝痛點(diǎn):激光劃槽深度對鈣鈦礦組件性能的核心影響鈣鈦礦光伏組件P1、P2、P3激光劃槽是薄膜串聯(lián)成型的核心工序,劃槽深度、槽體形貌直接決定膜層刻蝕質(zhì)量與子電池...
                      白光干涉儀在鈣鈦礦電池P1/P2/P3劃槽工藝質(zhì)控中的精密檢測應(yīng)用
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                      微透鏡陣列排布間距 (Array Pitch) 異常管控:白...
                      一、工藝痛點(diǎn)與傳統(tǒng)檢測局限微透鏡陣列排布間距(Array Pitch)是決定勻光、光束匹配、光學(xué)耦合性能的核心幾何參數(shù),其排布一致性直接影響半導(dǎo)體光學(xué)器件的成品性...
                      微透鏡陣列排布間距 (Array Pitch) 異常管控:白光干涉儀量產(chǎn)工藝調(diào)控方案
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                      基于白光干涉儀的超光滑樣品微觀形貌表征與工藝異常溯源研究
                      一、研究概述超光滑光學(xué)樣品是精密光學(xué)、半導(dǎo)體、激光器件等高端產(chǎn)業(yè)的核心基材,其表面納米級粗糙度、微觀形貌及微結(jié)構(gòu)缺陷,直接影響器件光學(xué)透過率、鍍膜品質(zhì)與使用壽命。...
                      基于白光干涉儀的超光滑樣品微觀形貌表征與工藝異常溯源研究
                      • 共83頁
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