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      新啟航半導(dǎo)體有限公司


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      04
      2026
      -
      06
      白光干涉儀(White Light Interferomet...
      一、引言超薄薄膜、超光滑樣品是半導(dǎo)體晶圓、精密光學(xué)元件、高能激光器件的核心基礎(chǔ)材料,其表面存在的納米級(jí)微劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、薄膜厚度不均等微觀工藝缺陷,會(huì)直...
      白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)大視場(chǎng)(Large Field-of-View)測(cè)量在超薄薄膜工藝缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用
      04
      2026
      -
      06
      MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughnes...
      MEMS 芯片表面粗糙度直接決定器件摩擦損耗、電學(xué)穩(wěn)定性與傳感精度,晶圓研磨、薄膜沉積、干法刻蝕、濕法清洗工序中,拋光壓力波動(dòng)、沉積速率失穩(wěn)、刻蝕殘留顆粒、腔體潔...
      MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughness) 超標(biāo),白光干涉儀優(yōu)化制程提升器件性能 (Device Performance)
      03
      2026
      -
      06
      USI 白光掃描:多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常(Data A...
      本文基于商用白光干涉設(shè)備官方技術(shù)手冊(cè)、半導(dǎo)體微納檢測(cè)國(guó)標(biāo)規(guī)范及公開招標(biāo)技術(shù)參數(shù),分析USI(通用掃描干涉,Universal Scanning Interfero...
      USI 白光掃描:多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常(Data Abnormality)機(jī)理分析
      03
      2026
      -
      06
      基于白光干涉儀的超薄薄膜微觀形貌表征及晶圓檢測(cè)應(yīng)用研究
      一、超薄薄膜加工工藝檢測(cè)痛點(diǎn)超薄薄膜構(gòu)件是微納光學(xué)、半導(dǎo)體封裝、柔性電子器件的核心功能結(jié)構(gòu),其鍍膜、濺射、刻蝕等精密工序易產(chǎn)生納米級(jí)形貌缺陷,主要包含膜厚梯度偏差...
      基于白光干涉儀的超薄薄膜微觀形貌表征及晶圓檢測(cè)應(yīng)用研究
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