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2026

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白光干涉儀，晶圓級封裝/Bump鍵合3D輪廓測量

摘要隨著晶圓級扇出封裝、TSV互連及精密Bump鍵合工藝高速發展，芯片封裝朝著微型化、高密度、高精度集成方向快速升級。晶圓級Bump鍵合作為芯片互連的核心工序，凸...

09

2026

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05

鈣鈦礦電池死區寬度測量，白光干涉助力GFF提升

1 鈣鈦礦電池死區寬度成因及工藝影響鈣鈦礦電池組件規?；a中，激光刻蝕形成的邊緣無效區域即為電池死區，主要位于P1、P2、P3刻蝕溝槽邊緣及電池片串間銜接位置。...

09

2026

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05

硅片/碳化硅/藍寶石/氮化鋁襯底，晶圓表面粗糙度白光干涉測量

摘要硅片、碳化硅、藍寶石及氮化鋁是半導體功率器件、光電子芯片與第三代半導體封裝制程的核心晶圓襯底材料，晶圓表面粗糙度直接影響薄膜外延生長質量、光刻制程精度及器件鍵...

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2026

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05

GB/T 3505 國標解讀，白光干涉儀表面粗糙度測量

一、GB/T 3505表面粗糙度國標核心解讀GB/T 3505是我國機械制造領域表面結構與粗糙度評定的基礎性國家標準，對標國際通用計量規范，適配國內全品類機械加工...

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