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      • 新啟航半導(dǎo)體有限公司


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        12
        2026
        -
        05
        基于白光干涉測(cè)量的微流控封裝平面度對(duì)芯片基底貼合性能研究
        摘要微流控芯片作為生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)、化學(xué)分析等領(lǐng)域的核心精密器件,其封裝平面度直接決定芯片基底貼合緊密性,進(jìn)而影響流體流動(dòng)特性與檢測(cè)精度。白光干涉測(cè)量技術(shù)憑借非接觸、...
        基于白光干涉測(cè)量的微流控封裝平面度對(duì)芯片基底貼合性能研究
        11
        2026
        -
        05
        CMOS芯片共面度偏差,白光干涉測(cè)量解決倒裝、固晶受力不均
        引言CMOS芯片作為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心器件,共面度精度直接決定倒裝、固晶工序的穩(wěn)定性,共面度偏差會(huì)導(dǎo)致倒裝貼合錯(cuò)位、固晶受力不均,進(jìn)而引發(fā)芯片封裝失效、可靠性下...
        CMOS芯片共面度偏差,白光干涉測(cè)量解決倒裝、固晶受力不均
        11
        2026
        -
        05
        制程殘余應(yīng)力致CMOS芯片翹曲,白光干涉精準(zhǔn)測(cè)量方案
        引言CMOS芯片在光刻、蝕刻、封裝等制程中,易因工藝參數(shù)偏差、材料熱膨脹系數(shù)不匹配產(chǎn)生殘余應(yīng)力,進(jìn)而導(dǎo)致芯片翹曲,影響倒裝、固晶等后續(xù)工序穩(wěn)定性,引發(fā)封裝失效、信...
        制程殘余應(yīng)力致CMOS芯片翹曲,白光干涉精準(zhǔn)測(cè)量方案
        11
        2026
        -
        05
        白光干涉測(cè)量在強(qiáng)腐蝕介質(zhì)閥門平面度檢測(cè)中的應(yīng)用
        摘要強(qiáng)腐蝕介質(zhì)閥門是化工、冶金等領(lǐng)域的核心控制部件,其密封面長(zhǎng)期接觸酸堿、鹽霧等腐蝕性介質(zhì),平面度精度直接決定密封可靠性,平面度超差易引發(fā)介質(zhì)泄漏、設(shè)備故障。傳統(tǒng)...
        白光干涉測(cè)量在強(qiáng)腐蝕介質(zhì)閥門平面度檢測(cè)中的應(yīng)用
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