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          1. 新啟航半導體有限公司


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            04
            2026
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            06
            USI 白光掃描:透明金屬疊層結構微納形貌失真原理溯源(US...
            本文依據白光干涉儀官方技術手冊、半導體微納檢測國標規范及《光學學報》《激光與光電子學進展》公開核心研究成果,聚焦半導體透明介質/金屬基底疊層微納結構,溯源USI通...
            USI 白光掃描:透明金屬疊層結構微納形貌失真原理溯源(USI White Light Scanning: Traceability of Micro-Nano Morphology Distortion Principle for Transparent-Metal Stack Structure)
            04
            2026
            -
            06
            基于光學3D輪廓儀深度標定優化光伏激光劃線與光電轉換效率研究
            摘要光伏、鈣鈦礦等薄膜光電器件激光劃線深度偏差會誘發基底損傷、薄膜殘留、斷路等缺陷,直接制約器件光電轉換效率提升。傳統二維測量、人工抽檢無法實現微納劃線深度精準質...
            基于光學3D輪廓儀深度標定優化光伏激光劃線與光電轉換效率研究
            04
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            白光干涉儀(White Light Interferomet...
            一、引言超薄薄膜、超光滑樣品是半導體晶圓、精密光學元件、高能激光器件的核心基礎材料,其表面存在的納米級微劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、薄膜厚度不均等微觀工藝缺陷,會直...
            白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)大視場(Large Field-of-View)測量在超薄薄膜工藝缺陷檢測中的應用
            04
            2026
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            MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughnes...
            MEMS 芯片表面粗糙度直接決定器件摩擦損耗、電學穩定性與傳感精度,晶圓研磨、薄膜沉積、干法刻蝕、濕法清洗工序中,拋光壓力波動、沉積速率失穩、刻蝕殘留顆粒、腔體潔...
            MEMS 芯片表面粗糙度 (Surface Roughness) 超標,白光干涉儀優化制程提升器件性能 (Device Performance)
            • 共86頁
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