在先進三維封裝工藝中，晶圓鍵合面（Wafer Bonding Surface）微觀形貌是決定鍵合良率、器件長期可靠性的核心因素，表面粗糙度（Surface Roughness）為鍵合前關鍵質量控制指標。晶圓直接鍵合工藝對鍵合面提出亞納米級超光滑要求，若表面粗糙度超標、存在局部凸起、微凹坑、拋光殘留顆粒等問題，會誘發鍵合空洞（Bonding Void）、界面分層等缺陷，降低界面結合強度，最終導致器件電學性能失效。
白光干涉儀（White Light Interferometer，WLI）是行業主流非接觸式三維形貌檢測設備，嚴格遵循ISO 25178形貌檢測國際規范，縱向檢測分辨率可達0.1nm，可精準量化算術平均粗糙度Sa、均方根粗糙度Sq等面粗糙度核心參數，同時有效識別微劃痕、局部形變、化學機械拋光（CMP）工藝引發的銅凹陷（Cu Dishing）等微觀表面異常。
相較于原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，AFM）接觸式檢測設備，白光干涉儀（WLI）具備超大檢測視場優勢，可實現大面積晶圓表面快速掃描，兼顧納米級檢測精度與量產檢測吞吐量，同時徹底規避接觸式檢測對超光滑鍵合表面造成的劃傷風險，更適配半導體量產質控場景。
在缺陷防控（Defect Prevention and Control）體系中，白光干涉儀（WLI）可實現鍵合前工序閉環質量管控：針對CMP拋光后的晶圓鍵合面開展高精度形貌檢測，依托實測數據反饋拋光壓力、耗材損耗等工藝偏差，精準篩選粗糙度超標不良晶圓，從源頭管控鍵合空洞、界面脫層等質量問題，為混合鍵合（Hybrid Bonding）、晶圓直接鍵合等高端封裝工藝提供可量化、可溯源的工藝優化依據。
晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）
（圖示為CMP拋光后實測數據，檢測精度可達6pm（0.006nm），滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測標準，適配高端芯片晶圓精密檢測場景）
（圖示為CMP拋光后實測數據，表面粗糙度Ra=0.96nm，可精準表征晶圓拋光后表面光滑度，支撐拋光工藝優化（Polishing Process Optimization），持續提升晶圓表面加工質量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數據，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質量檢測場景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩定性，為后續鍵合（Bonding）工序筑牢質量基礎）
大視野3D白光干涉儀
大視野3D白光干涉儀依托核心創新技術，突破傳統晶圓檢測設備局限，構建半導體（Semiconductor）晶圓精密測量（Precision Measurement）新范式。設備可一機實現納米級（Nanoscale）全場景形貌測量，兼具超高檢測精度與量產檢測效率，覆蓋晶圓加工、封裝全流程質控需求，為半導體產業精密檢測提供權威、可溯源的數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業壁壘
設備解決傳統檢測設備痛點：傳統1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測，需搭配兩臺設備分別完成大視野觀測與高精度測量。本設備搭載0.6倍輕量化專用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），兼容4物鏡轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可兼顧大視野全域觀測、納米級精準測量雙重需求。無需頻繁切換檢測設備，大幅提升量產檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy），高度適配半導體規模化量產質控場景。
晶圓相關實測應用圖示及說明（半導體專屬）
（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側為微觀放大細節圖，右側為全域共面度分析圖，直觀呈現設備大視野3D形貌測量能力，支撐研磨碟盤質量管控（Quality Control），保障晶圓整體拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測量，可精準采集晶圓形變核心數據，嚴控晶圓加工、封裝（Packaging）精度，有效規避封裝階段芯片破損、虛焊等不良問題）
新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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