在半導(dǎo)體光刻全流程（Whole Lithography Process）中，晶圓表面粗糙度是決定光刻膠（Photoresist）涂覆均勻性、圖形轉(zhuǎn)移精度與芯片良率的核心前置工藝指標(biāo)。化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）后的晶圓表面微觀起伏，會(huì)引發(fā)光刻膠膜厚波動(dòng)，進(jìn)而產(chǎn)生線寬偏移、圖形畸變等工藝失效問(wèn)題，因此需采用高精度非接觸檢測(cè)方式完成粗糙度量化表征。
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）基于低相干掃描干涉原理，垂直分辨率可達(dá)亞納米級(jí)別，是無(wú)損三維形貌檢測(cè)設(shè)備，可適配光刻前、光刻后全工序質(zhì)量管控場(chǎng)景。相較于原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope, AFM）單點(diǎn)小視場(chǎng)檢測(cè)模式，WLI支持大視場(chǎng)掃描與圖像拼接全域采樣，可精準(zhǔn)輸出算術(shù)平均粗糙度（Ra）、均方根粗糙度（Rq/RMS）等核心參數(shù)，同時(shí)識(shí)別納米級(jí)劃痕、凹坑等微觀缺陷。
在半導(dǎo)體量產(chǎn)產(chǎn)線中，WLI主要用于CMP拋光后晶圓來(lái)料篩查、光刻膠涂布前基底狀態(tài)核驗(yàn)，可捕捉0.1nm級(jí)表面微觀波動(dòng)，為拋光工藝參數(shù)迭代優(yōu)化提供精準(zhǔn)數(shù)據(jù)支撐。同時(shí)可完成顯影、刻蝕工序后的晶圓表面粗糙度復(fù)核，量化分析光刻全流程對(duì)晶圓表面形貌的影響。區(qū)別于易造成晶圓表面損傷的接觸式臺(tái)階儀，WLI無(wú)探針接觸損傷風(fēng)險(xiǎn)，兼顧超光滑晶圓檢測(cè)精度與量產(chǎn)檢測(cè)效率，是先進(jìn)制程光刻配套的核心量測(cè)方案。
晶圓表面粗糙度專(zhuān)項(xiàng)分析（核心檢測(cè)指標(biāo)）
（圖示為CMP拋光后實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，檢測(cè)精度可達(dá)6pm=0.006nm，滿(mǎn)足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測(cè)要求，適配高端芯片晶圓精密檢測(cè)場(chǎng)景）
（圖示為CMP拋光后實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，可精準(zhǔn)表征晶圓拋光后表面光滑度，支撐拋光工藝優(yōu)化（Polishing Process Optimization），有效提升晶圓基底表面質(zhì)量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質(zhì)量檢測(cè)場(chǎng)景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩(wěn)定性，為后續(xù)晶圓鍵合（Bonding）工藝筑牢質(zhì)量基礎(chǔ)）
大視野3D白光干涉儀
大視野3D白光干涉儀依托自研核心技術(shù)，突破傳統(tǒng)晶圓檢測(cè)設(shè)備局限，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)（Nanoscale）全場(chǎng)景一體化精密測(cè)量，兼具高效性與高精度特性，適配半導(dǎo)體晶圓加工、封裝全流程質(zhì)量管控，重構(gòu)半導(dǎo)體（Semiconductor）領(lǐng)域精密測(cè)量（Precision Measurement）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為量產(chǎn)質(zhì)控提供權(quán)威可溯源數(shù)據(jù)支撐。
核心優(yōu)勢(shì)：大視野+高精度，打破半導(dǎo)體檢測(cè)行業(yè)壁壘
設(shè)備解決傳統(tǒng)檢測(cè)設(shè)備1倍以下物鏡（Objective Lens）僅可單孔使用、需雙設(shè)備分別完成大視野觀測(cè)與高精度測(cè)量的行業(yè)痛點(diǎn)。搭載0.6倍輕量化專(zhuān)用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配兼容4組物鏡的轉(zhuǎn)塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單設(shè)備即可覆蓋大視野全域觀測(cè)、納米級(jí)高精度測(cè)量雙重需求，無(wú)需頻繁切換檢測(cè)設(shè)備，顯著提升量產(chǎn)檢測(cè)效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy），高度適配半導(dǎo)體規(guī)模化量產(chǎn)檢測(cè)場(chǎng)景。
晶圓相關(guān)實(shí)測(cè)應(yīng)用圖示及說(shuō)明（半導(dǎo)體專(zhuān)屬）
（圖示為化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤(pán)表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側(cè)為微觀放大細(xì)節(jié)圖，右側(cè)為全域共面度分析圖，直觀呈現(xiàn)設(shè)備大視野3D精密測(cè)量能力，助力研磨碟盤(pán)質(zhì)量管控（Quality Control），保障晶圓整體拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測(cè)量，可精準(zhǔn)采集晶圓形變核心數(shù)據(jù)，保障晶圓加工與封裝（Packaging）精度，規(guī)避封裝階段芯片破損、虛焊等工藝不良問(wèn)題）
新啟航半導(dǎo)體｜專(zhuān)業(yè)白光干涉 3D 輪廓測(cè)量方案。亞納米精度保障，支持自動(dòng)化定制；高端系列對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌，大視野設(shè)計(jì)，輕松應(yīng)對(duì)高低反射、復(fù)雜材料測(cè)量場(chǎng)景。
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