摘要

干法刻蝕（Dry Etching）、濕法刻蝕（Wet Etching）是半導體晶圓（Wafer）加工核心工藝，刻蝕工序會改變晶圓襯底微觀形貌，而晶圓表面粗糙度（Surface Roughness）直接決定后續鍍膜、鍵合（Bonding）工藝質量，同時影響半導體器件電學性能。白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）具備非接觸無損檢測特性，是當前刻蝕后晶圓表面粗糙度定量表征的核心設備。

干法、濕法刻蝕工藝會產生差異化的晶圓表面損傷：等離子干法刻蝕易造成晶圓微觀波紋缺陷及聚合物殘留問題；濕法化學腐蝕受腐蝕液對流效應、晶圓晶向差異影響，易形成局部微觀起伏。傳統檢測設備存在明顯短板：接觸式輪廓儀易劃傷刻蝕后脆弱的晶圓表面；原子力顯微鏡（AFM）僅支持小區域掃描檢測，無法實現整片晶圓全域質量評估。

白光干涉儀（WLI）基于低相干干涉原理，垂直檢測分辨率可達0.1 nm級，搭載相位干涉（PSI）、垂直掃描干涉（VSI）雙檢測模式，可輸出符合ISO 25178國際標準的算術平均粗糙度（Ra）、均方根粗糙度（RMS）等核心參數，支持硅、氧化硅（SiO?）、氮化硅（SiN?）等各類刻蝕后晶圓材料的三維微觀形貌采集。設備支持大視場圖像拼接技術，可完成8-12英寸晶圓全域映射（Full Mapping），既可實現微區高精度精細化分析，又可精準識別晶圓邊緣、環形區域的粗糙度異常問題，可反向指導刻蝕功率、腐蝕液配比、工藝反應時間等核心參數優化，實現刻蝕工藝迭代升級。

結合半導體產線實測公開數據：干法刻蝕硅晶圓粗糙度穩定區間為Ra 0.8-2.0 nm，濕法刻蝕硅襯底典型粗糙度Ra≤1.5 nm。白光干涉儀可精準識別工藝漂移引發的粗糙度劣化問題，為刻蝕工藝穩定性提供量化質量管控依據，有效規避晶圓表面形貌缺陷導致的產品良率損失。

晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）

（圖示為CMP拋光后實測數據，檢測精度可達6pm（0.006nm），滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測標準，適配高端芯片晶圓精密檢測工業場景）

（圖示為CMP拋光后實測數據，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，可精準量化晶圓拋光后表面光滑度，支撐拋光工藝優化（Polishing Process Optimization），提升晶圓整體表面加工質量）

（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數據，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質量檢測場景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩定性，為后續晶圓鍵合（Bonding）工藝落地提供可靠基礎支撐）

大視野3D白光干涉儀

大視野3D白光干涉儀依托核心精密檢測技術，突破傳統晶圓檢測設備局限，實現納米級（Nanoscale）全場景一體化測量，兼顧檢測高效性與測量高精度，適配晶圓全加工流程檢測需求，重塑半導體（Semiconductor）行業精密測量（Precision Measurement）技術標準，為半導體晶圓加工、封裝全流程質量管控提供權威、可溯源的數據支撐。

核心優勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業壁壘

設備解決傳統檢測設備核心痛點：傳統1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測，需搭配兩臺設備才能分別完成大視野觀測與高精度測量，檢測流程繁瑣、數據一致性差。本設備搭載自研0.6倍輕量化專用鏡頭，配置15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），配套可兼容4組物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可全覆蓋大視野觀測、納米級高精度測量雙重需求，適配晶圓及半導體核心零部件復雜檢測場景，無需切換檢測設備，顯著提升量產檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy），高度適配半導體規?；慨a質控場景。

晶圓相關實測應用圖示及說明（半導體專屬）

（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側為微觀放大細節圖，右側為全域共面度分析圖，直觀體現設備大視野3D精準測量能力，助力研磨碟盤質量管控（Quality Control），保障晶圓整體拋光均勻性）

（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測量，可精準采集晶圓形變核心數據，保障晶圓加工及封裝（Packaging）精度，有效規避封裝環節芯片破損、虛焊等工藝不良問題）

新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。

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