超薄薄膜（Ultra-thin Film）廣泛應用于半導體晶圓（Wafer）、鈣鈦礦光伏、微機電系統（MEMS）等核心工業領域。薄膜經濺射（Sputtering）、蒸鍍（Evaporation）工藝制備過程中，易產生殘余應力畸變、膜厚梯度偏差、納米針孔、界面分層、表面粗糙度（Surface Roughness）超標等微觀質量問題。傳統檢測設備存在明顯局限性：接觸式輪廓儀易直接損傷精密膜層，原子力顯微鏡（AFM）視場范圍狹窄，僅可抽樣檢測，漏檢風險較高，無法滿足工業化量產質控的高精度、全覆蓋檢測需求。
白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）基于低相干垂直掃描干涉（Vertical Scanning Interferometer, VSI）技術，實現非接觸、無損式三維形貌檢測，設備垂直分辨率可達亞納米級別，檢測標準完全契合 ISO 25178 面形計量國際標準。設備搭載0.6×大視場物鏡，單幅檢測視場可達15mm，配合高精度圖像拼接技術，可完成200mm尺寸樣品全域掃描，兼顧大尺寸全域覆蓋與納米級測量精度，適配規模化工業檢測場景。
通過設備三維點云重構技術，可精準量化面形誤差（Form Error）、算術平均粗糙度（Sa）、缺陷深度及分布密度等核心參數，可自定義膜厚偏差、針孔尺寸判定閾值，自動定位薄膜工藝畸變與微觀缺陷位置，反向關聯鍍膜速率波動、基底形變、環境擾動等核心工藝誘因，為薄膜制程工藝迭代、品質優化提供真實、可溯源的實測數據支撐。
晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）
（圖示為CMP拋光后實測數據，檢測精度可達6pm=0.006nm，滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）高精度檢測要求，適配半導體高端芯片晶圓精密檢測場景）
（圖示為CMP拋光后實測數據，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，可精準量化晶圓拋光后表面光滑度，為拋光工藝優化（Polishing Process Optimization）提供數據支撐，有效提升晶圓成品表面質量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數據，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質量檢測場景，可保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩定性，為后續晶圓鍵合（Bonding）工序提供可靠質量基礎）
大視野3D白光干涉儀
突破傳統精密測量設備技術局限，重構晶圓（Wafer）高精度檢測體系！大視野3D白光干涉儀依托核心創新技術，實現納米級（Nanoscale）全場景精密測量，兼具高效檢測與超高精度雙重優勢，全面適配晶圓生產全流程檢測需求，重塑半導體（Semiconductor）領域精密測量（Precision Measurement）行業標準，為半導體晶圓加工、封裝全鏈條質量管控提供權威、可溯源的實測數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業壁壘
打破傳統檢測設備行業局限，徹底解決傳統1倍以下物鏡（Objective Lens）設備僅能單點檢測、需兩臺設備分別完成大視野觀測與高精度測量的行業痛點。設備搭載全新0.6倍輕量化專用鏡頭，配置15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4組物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可全覆蓋大視野觀測、納米級高精度測量兩大核心需求，可高效適配晶圓及配套零部件復雜檢測場景，無需頻繁切換檢測設備，顯著提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy），完全適配半導體工業化量產檢測場景。
晶圓相關實測應用圖示及說明（半導體專屬）
（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側為局部放大細節圖，右側為全域共面度分析圖，直觀呈現設備大視野3D精密測量能力，助力研磨碟盤品質管控（Quality Control），保障晶圓整體拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）參數測量，可精準捕捉晶圓微觀形變數據，保障晶圓加工與封裝（Packaging）精度，有效規避芯片破損、封裝虛焊等工藝不良問題）
新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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