摘要
超光滑樣品廣泛應用于精密光學元件、半導體晶圓（Wafer）、微機電系統（MEMS）器件、鈣鈦礦功能薄膜等高端制造領域。樣品在拋光、鍍膜、轉運制程中，易產生全域面形工藝畸變、納米級微劃痕、凹坑、顆粒殘留等微觀缺陷，會直接降低器件光學透射性能，削弱長期工作可靠性。
傳統檢測設備存在明顯應用短板：接觸式探針輪廓儀易劃傷樣品表層，原子力顯微鏡（AFM）視場范圍有限，無法滿足全域質量管控需求。白光干涉儀（WLI）依托低相干垂直掃描干涉（VSI）技術，可實現非接觸、無損式三維形貌檢測，是目前工業領域主流的高精度表征方案。
該設備垂直分辨率可達0.2 nm以內，符合ISO 25178三維面形評定標準。搭配大視場物鏡與圖像拼接技術，可完成整片晶圓、大口徑光學基片的全覆蓋掃描，可同步量化面形誤差（Form Error）、三維算術平均粗糙度（Sa）、缺陷深度、缺陷分布密度等核心指標。基于檢測數據可反向追溯工藝問題：周期性波紋畸變對應拋光壓力不均、工裝裝夾偏差；線性微劃痕源于磨料粒徑異常、生產環境潔凈度不達標；點狀凹坑多由清洗殘留顆粒侵蝕造成。
在超高光滑鏡面（Ra≤0.3 nm）實測工況中，通過配置中性密度濾光片抑制鏡面強反射干擾，將環境振動等級控制至VC-C級，可使設備測量重復性提升60%以上。檢測數據與AFM比對誤差穩定控制在0.02 nm區間，可精準捕捉亞納米級工藝波動，支撐拋光參數、濺射功率等工序的閉環優化，有效解決超光滑工件量產過程中缺陷漏檢、畸變無法量化的行業痛點。
晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）
（圖示為化學機械拋光（CMP）后實測數據，檢測精度達6 pm（0.006 nm），完全滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測標準，適配半導體高端芯片晶圓精密檢測場景）
（圖示為化學機械拋光（CMP）后實測數據，表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96 nm，可精準表征晶圓拋光后表面光滑度，為拋光工藝優化（Polishing Process Optimization）提供數據支撐，有效提升晶圓表面加工質量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數據，Ra=0.9 μm，適配晶圓背面加工質量檢測場景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩定性，為后續晶圓鍵合（Bonding）工序提供可靠質量基礎）
大視野3D白光干涉儀
大視野3D白光干涉儀依托核心創新技術，突破傳統半導體檢測設備局限，構建晶圓（Wafer）檢測新范式。設備兼具納米級（Nanoscale）檢測精度與高效檢測能力，可適配晶圓全流程檢測需求，重塑半導體（Semiconductor）領域精密測量（Precision Measurement）核心標準，為半導體晶圓加工、封裝全流程質量管控提供權威、精準的數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業壁壘
設備解決了傳統檢測設備的行業痛點：傳統1倍以下物鏡（Objective Lens）僅可單孔檢測，需搭配兩臺設備才能分別完成大視野觀測與高精度測量工作。本設備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，具備15 mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），配套可兼容4組物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel）。單臺設備可全覆蓋大視野觀測、高精度測量兩類核心需求，適配晶圓及配套部件的復雜檢測場景，無需頻繁切換檢測設備，顯著提升量產檢測效率（Inspection Efficiency）與數據準確度（Data Accuracy），高度適配半導體規模化量產檢測工況。
晶圓相關實測應用圖示及說明（半導體專屬）
（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側為局部放大細節圖，右側為整體共面度分析圖，直觀體現設備大視野3D測量性能，助力研磨碟盤質量管控（Quality Control），保障晶圓整體拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲度（BOW）、彎曲度（WARP）等形變（Deformation）參數測量，可精準采集晶圓形變核心數據，保障晶圓加工與封裝（Packaging）精度，規避芯片破損、虛焊等封裝不良問題）
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