鈣鈦礦電池激光劃線（Laser Scribing）制程中，電極殘留厚度（Residual Thickness of Electrode）是制約電池電學性能與良品率的核心工藝指標。劃線工序殘留的金屬電極、透明導電電極（TCO）殘余層，極易引發(fā)并聯(lián)漏電流（Parallel Leakage Current）、電池串并聯(lián)失配、組件熱斑（Hot Spot）缺陷。傳統(tǒng)接觸式檢測設(shè)備易劃傷薄膜表面，二維檢測設(shè)備無法實現(xiàn)納米級厚度精準量化，難以滿足量產(chǎn)質(zhì)控需求。本文基于光伏行業(yè)公開工藝數(shù)據(jù)與儀器廠商標定參數(shù)，闡述白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）在電極殘留厚度檢測及工藝優(yōu)化中的工程應用價值。
白光干涉儀依托垂直掃描干涉（VSI）技術(shù)，經(jīng)官方溯源標定垂直分辨率≤0.5nm，以非接觸式采集劃線區(qū)域三維形貌數(shù)據(jù)，可精準測算電極殘余層厚度、殘留覆蓋率等關(guān)鍵參數(shù)。量產(chǎn)實測數(shù)據(jù)證實：電極殘留厚度超標會直接增大電池漏電概率，殘留剝離不徹底會破壞子電池絕緣隔離性能。通過批量檢測不同激光功率、掃描速率、聚焦位移參數(shù)下的電極殘留狀態(tài)，可建立工藝參數(shù)與殘留缺陷的對應模型。
基于檢測數(shù)據(jù)實現(xiàn)劃線工藝閉環(huán)優(yōu)化，精準管控電極殘留厚度區(qū)間，有效提升鈣鈦礦電池絕緣性能與光電轉(zhuǎn)換穩(wěn)定性，降低制程不良率，適配鈣鈦礦電池中試研發(fā)與規(guī)模化量產(chǎn)的高精度工藝質(zhì)控場景。
激光劃線實測案例
大視野3D白光干涉儀
突破傳統(tǒng)測量局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式！大視野3D白光干涉儀憑借核心創(chuàng)新技術(shù)，實現(xiàn)納米級（Nanoscale）全場景測量，以高效、精準的優(yōu)勢，重新詮釋工業(yè)測量（Industrial Measurement）的高效與精密，為半導體（Semiconductor）、光學及各類精密部件檢測提供全方位技術(shù)支撐，適配多領(lǐng)域嚴苛測量需求。
四大核心技術(shù)革新（工業(yè)級標準，適配半導體場景）
一、大視野+高精度，打破行業(yè)常規(guī)
打破傳統(tǒng)設(shè)備局限，1倍以下物鏡（Objective Lens）可實現(xiàn)多場景適配，無需分開配備設(shè)備即可兼顧大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設(shè)備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，擁有15.5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉(zhuǎn)塔設(shè)計（Turret Design），一臺設(shè)備即可全面覆蓋大視野觀測與高精度測量需求，適配各類復雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設(shè)備，大幅提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準度（Data Accuracy）。
（以上為實測14mm端面平面度（Flatness），精準把控部件平面精度，為半導體器件、精密光學部件后續(xù)測量提供可靠基礎(chǔ)）
（以上為實測數(shù)據(jù)：6pm=0.006nm，精準表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），滿足半導體芯片、超精密部件的超精密測量需求）
視野更大，亞微米的痕跡測量，激光共聚焦高倍鏡頭視野太小。白光干涉可實現(xiàn)大事業(yè)納米精度測量。
新啟航半導體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設(shè)計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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