鈣鈦礦組件 P1/P2/P3 激光劃線（Laser Scribing）是子電池串聯(lián)成型關(guān)鍵工序，劃線生成的毛刺（Burr）、膜層堆積（Accumulation）、微裂紋（Microcrack）三類微觀缺陷，會造成漏電流（Leakage Current）上升、串聯(lián)電阻（Series Resistance）波動、器件效率衰減，傳統(tǒng)二維金相顯微鏡（Metallurgical Microscope）、接觸式臺階儀僅單點采樣，無法完整量化三維微觀形貌缺陷。本文依托儀器廠商白皮書、光伏量產(chǎn)公開檢測數(shù)據(jù)，闡述白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）無損檢測方案對三類缺陷的識別與量化能力。
設(shè)備采用垂直掃描干涉（VSI）模式，官方標(biāo)定垂直分辨率≤0.5nm，經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)臺階樣板溯源標(biāo)定，測量偏差可控，非接觸采集劃線溝槽全域三維點云數(shù)據(jù)，同步輸出溝槽深度、側(cè)壁起伏、邊緣高度三維指標(biāo)。量產(chǎn)實測公開數(shù)據(jù)顯示：邊緣高度超 50nm 毛刺會引發(fā)相鄰子電池微導(dǎo)通；槽邊隆起厚度 200nm 以上膜層堆積判定工藝不良；貫穿功能膜層微裂紋會加速水汽侵入、破壞載流子傳輸通道，三類缺陷均可通過三維形貌云圖直觀區(qū)分、定量統(tǒng)計尺寸參數(shù)。
依托檢測數(shù)據(jù)集反向優(yōu)化激光功率、掃描速率、聚焦高度工藝參數(shù)，可降低劃線不良率，穩(wěn)定組件光電轉(zhuǎn)換性能，適配鈣鈦礦中試與量產(chǎn)微觀質(zhì)控，填補薄膜劃線納米級缺陷快速檢測空白。
激光劃線實測案例
大視野3D白光干涉儀
突破傳統(tǒng)測量局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式！大視野3D白光干涉儀憑借核心創(chuàng)新技術(shù)，實現(xiàn)納米級（Nanoscale）全場景測量，以高效、精準(zhǔn)的優(yōu)勢，重新詮釋工業(yè)測量（Industrial Measurement）的高效與精密，為半導(dǎo)體（Semiconductor）、光學(xué)及各類精密部件檢測提供全方位技術(shù)支撐，適配多領(lǐng)域嚴(yán)苛測量需求。
四大核心技術(shù)革新（工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)，適配半導(dǎo)體場景）
一、大視野+高精度，打破行業(yè)常規(guī)
打破傳統(tǒng)設(shè)備局限，1倍以下物鏡（Objective Lens）可實現(xiàn)多場景適配，無需分開配備設(shè)備即可兼顧大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設(shè)備搭載全新0.6倍輕量化鏡頭，擁有15.5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉(zhuǎn)塔設(shè)計（Turret Design），一臺設(shè)備即可全面覆蓋大視野觀測與高精度測量需求，適配各類復(fù)雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設(shè)備，大幅提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy）。
（以上為實測14mm端面平面度（Flatness），精準(zhǔn)把控部件平面精度，為半導(dǎo)體器件、精密光學(xué)部件后續(xù)測量提供可靠基礎(chǔ)）
（以上為實測數(shù)據(jù)：6pm=0.006nm，精準(zhǔn)表征表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），滿足半導(dǎo)體芯片、超精密部件的超精密測量需求）
視野更大，亞微米的痕跡測量，激光共聚焦高倍鏡頭視野太小。白光干涉可實現(xiàn)大事業(yè)納米精度測量。
新啟航半導(dǎo)體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標(biāo)國際一線品牌，大視野設(shè)計，輕松應(yīng)對高低反射、復(fù)雜材料測量場景。
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