微機電系統（Micro-Electro-Mechanical System, MEMS）腔體溝槽（Trench Cavity）是傳感、封裝類器件的核心微結構，其深度均勻性直接決定器件氣密性與工作穩定性。量產干法刻蝕（Dry Etching）工藝中，常出現晶圓片內深度偏差超標問題，核心誘因是刻蝕反應室氣體分布不均、腔體壓力波動及刻蝕介質局部對流差異，造成溝槽全域刻蝕速率不一致，大幅降低產品量產良率。

本文采用白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI），搭配20×物鏡及深溝槽專用測量模式，對硅基MEMS溝槽結構開展全域三維輪廓精準實測。本次待測樣品設計溝槽深度30 μm、寬度5 μm，深寬比6:1。優化前實測數據顯示，溝槽實際深度區間為29.4～30.2 μm，深度偏差0.8 μm，側壁存在納米級坑洼缺陷，結構均勻性無法滿足量產標準；同時驗證等離子體損傷層干擾是造成小幅深度測量誤差的核心原因。

基于實測數據開展針對性工藝優化（Process Optimization），精準調控刻蝕反應室工作壓力、鈍化時長與反應氣體流量，并采用雙波段干涉技術消除損傷層帶來的測量干擾。優化后復測數據表明，溝槽深度穩定控制在29.9±0.2 μm，深度偏差顯著縮減，側壁傾斜角穩定在89.2°，結構平整度與尺寸一致性完全達標。該優化方案無需改造設備主體，可快速適配MEMS溝槽量產流程，有效解決微結構深度不均問題，提升批次生產穩定性與成品良率。

MEMS傳感器實測應用圖示及說明（半導體專屬）

本圖為實測MEMS壓力傳感器芯片全景圖，可完整呈現芯片整體形貌（Overall Morphology），精準捕捉全域微觀細節，為芯片外觀檢測、整體尺寸（Overall Dimension）核驗提供可靠數據支撐，保障MEMS傳感器芯片基礎品質合規。

本圖為MEMS梳齒狀結構微觀圖，可精準還原梳齒微觀形態（Microscopic Morphology），可實現梳齒間距（Comb Spacing）、尺寸精度（Dimensional Accuracy）等核心參數的高效精準檢測，保障MEMS器件工作性能穩定性（Performance Stability）。

大視野3D白光干涉儀

大視野3D白光干涉儀突破傳統微納測量設備局限，重塑微機電系統傳感器（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）精密檢測標準。設備依托核心光學干涉技術，可實現納米級（Nanoscale）全維度測量，兼顧檢測高效性與測量精準度，全面適配MEMS傳感器全生產流程檢測需求，為半導體（Semiconductor）MEMS傳感器及精密微納器件檢測提供專業技術支撐。

核心優勢：大視野+高精度，打破行業壁壘（適配MEMS傳感器檢測）

設備解決傳統檢測設備痛點：傳統1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測，需兩臺設備分別完成大視野觀測與高精度測量。本設備搭載0.6倍輕量化專用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），兼容4物鏡轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單設備即可覆蓋大視野全域觀測、納米級高精度測量兩大核心需求，適配MEMS傳感器復雜樣品檢測場景，無需切換設備，顯著提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy）。

實測精度參數：6pm（0.006nm），可精準表征工件表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz）等微觀參數。

新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。

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