互補金屬氧化物半導體感光芯片(CMOS Image Sensor, CIS)是消費電子、工業影像設備的核心半導體元器件。芯片表面平面度(Flatness)是封裝工藝與成像品質的核心質控指標,依據GB/T 39560-2020半導體芯片翹曲度測試標準及行業量產規范,高端CIS芯片平面度誤差管控閾值≤5 μm。在微型化、高密度板上芯片封裝(Chip On Board, COB)工藝場景下,芯片微小翹曲、表面凹凸形變,會引發封裝貼合偏移、光學對焦不準、成像景深不均等問題,直接降低產品良率與長期使用可靠性,因此高精度平面度檢測為量產必備工序。



傳統接觸式測高儀、二維光學檢測設備存在檢測景深有限、微米級精度不足、探針易劃傷芯片光敏面等弊端,無法適配高精度CIS芯片質控需求。光學3D輪廓儀(3D Optical Profiler)依托白光干涉(White Light Interferometry)與結構光三維掃描技術,實現非接觸式全域形貌檢測。依據設備廠商公開技術參數,該設備Z軸重復測量精度可達0.3–0.4 μm,可精準采集芯片全局平面度偏差與微觀形變數據,完整還原芯片三維表面形貌,符合SEMI M73晶圓平面度測量行業規范。




相較于傳統檢測方案,光學3D輪廓測量方案無接觸損傷風險,兼顧微米級檢測精度與量產檢測效率,可全覆蓋CIS芯片貼片、封裝、終檢全生產工序。該方案可有效規避平面度不良引發的封裝失效、成像失真等質量問題,契合高端影像芯片精密制造的質控要求,是當前半導體影像元器件量產的主流精準測量方案(Precision Measurement Scheme)。



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