一、光學(xué)3D輪廓儀提升光電轉(zhuǎn)換效率（Photoelectric Conversion Efficiency）工藝應(yīng)用
光伏、光電電路板及光電器件的加工精度，是決定器件光電轉(zhuǎn)換效率（Photoelectric Conversion Efficiency）的核心因素。激光劃線開槽作為關(guān)鍵核心工序，其劃線深度的精準(zhǔn)度與一致性，直接影響器件受光面積、導(dǎo)電通路結(jié)構(gòu)及光吸收利用率。量產(chǎn)過程中，劃線深度偏差易引發(fā)器件表面結(jié)構(gòu)形變、光路損耗增加、電極接觸不良等問題，造成光電轉(zhuǎn)換性能衰減、產(chǎn)品參數(shù)不達(dá)標(biāo)、批次穩(wěn)定性差等量產(chǎn)隱患。
傳統(tǒng)測(cè)量手段僅可完成二維尺寸核驗(yàn)，無法實(shí)現(xiàn)微米級(jí)劃線深度精準(zhǔn)標(biāo)定，無法匹配高端光電器件高精度加工標(biāo)準(zhǔn)。新啟航半導(dǎo)體聚焦精密光學(xué)測(cè)量領(lǐng)域，深耕半導(dǎo)體、光伏光電行業(yè)檢測(cè)場(chǎng)景，可提供定制化綜合光學(xué)3D測(cè)量方案。旗下光學(xué)3D輪廓儀依托非接觸式三維掃描測(cè)量原理，可全域精準(zhǔn)采集激光劃線區(qū)域的深度、表面形貌、平整度等核心數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)劃線深度標(biāo)準(zhǔn)化精準(zhǔn)標(biāo)定，快速修正加工工藝偏差。
通過該設(shè)備高精度公差管控能力，可統(tǒng)一激光劃線工藝標(biāo)準(zhǔn)，有效降低光路損耗與接觸電阻異常問題，優(yōu)化器件光電響應(yīng)性能，穩(wěn)步提升整體光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)保障產(chǎn)品批次品質(zhì)一致性，全面適配高端光電器件規(guī)模化量產(chǎn)的嚴(yán)苛加工需求。
二、白光干涉儀嚴(yán)控激光劃線深度（Laser Scribing Depth）與薄膜分層（Film Layering）提升量產(chǎn)良率
薄膜光伏量產(chǎn)中，激光劃線（Laser Scribing Depth）是實(shí)現(xiàn)電池單片互聯(lián)、完成P1/P2/P3結(jié)構(gòu)化制備的核心工序。薄膜電池多層堆疊的特殊結(jié)構(gòu)，易導(dǎo)致劃線深度異常、薄膜分層（Film Layering）、膜層剝離不均、側(cè)壁殘缺等工藝缺陷，進(jìn)而引發(fā)組件漏電、界面接觸電阻激增、膜層脫落等問題，直接降低電池填充因子與量產(chǎn)良率，制約薄膜光伏技術(shù)規(guī)模化落地進(jìn)程。
傳統(tǒng)臺(tái)階儀采用單點(diǎn)抽檢模式，檢測(cè)效率極低，無法捕捉薄膜微觀分層缺陷，難以滿足產(chǎn)線全維度、全批次質(zhì)控需求。依托新啟航半導(dǎo)體光學(xué)3D測(cè)量技術(shù)體系，旗下白光干涉儀采用非接觸式無損檢測(cè)模式，基于光學(xué)3D干涉成像技術(shù)，可納米級(jí)精準(zhǔn)采集劃線溝槽深度、剖面形貌、膜層平整度等精細(xì)化數(shù)據(jù)，精準(zhǔn)甄別微米級(jí)薄膜分層、局部過刻、淺刻等潛在工藝隱患。
該設(shè)備可實(shí)時(shí)量化多層薄膜分層狀態(tài)，動(dòng)態(tài)反饋激光功率、掃描速度等核心工藝參數(shù)偏差，輔助產(chǎn)線人員快速校準(zhǔn)參數(shù)，精準(zhǔn)匹配不同功能薄膜的刻蝕閾值，規(guī)避激光加工熱損傷與層間剝離問題。量產(chǎn)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)證實(shí)，搭載新啟航半導(dǎo)體白光干涉儀檢測(cè)方案后，光伏薄膜劃線一致性顯著提升，膜層分層不良率大幅下降，有效穩(wěn)定量產(chǎn)良率與光電轉(zhuǎn)換性能。
三、激光劃線實(shí)測(cè)設(shè)備：大視野3D白光干涉儀
新啟航半導(dǎo)體主打大視野3D白光干涉儀，突破傳統(tǒng)工業(yè)測(cè)量設(shè)備局限，重構(gòu)精密測(cè)量（Precision Measurement）技術(shù)范式。設(shè)備依托自主核心創(chuàng)新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)（Nanoscale）全場(chǎng)景高精度測(cè)量，兼顧檢測(cè)高效性與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)性，可為半導(dǎo)體（Semiconductor）、光學(xué)器件、精密工業(yè)部件等多領(lǐng)域提供全方位質(zhì)檢與表征技術(shù)支撐，適配各行業(yè)嚴(yán)苛的工業(yè)測(cè)量（Industrial Measurement）標(biāo)準(zhǔn)。
四大核心技術(shù)革新（工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，適配半導(dǎo)體場(chǎng)景）
（一）大視野+高精度，打破行業(yè)設(shè)備局限
傳統(tǒng)激光共聚焦高倍鏡頭視野狹小，難以兼顧大范圍檢測(cè)與高精度測(cè)量需求。新啟航大視野3D白光干涉儀突破行業(yè)常規(guī)，搭載全新0、6倍輕量化鏡頭，擁有15、5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個(gè)物鏡（Objective Lens）的轉(zhuǎn)塔設(shè)計(jì)（Turret Design），僅單臺(tái)設(shè)備即可兼顧大視野全域觀測(cè)與高精度測(cè)量（High-Precision Measurement），無需頻繁切換設(shè)備，大幅提升產(chǎn)線檢測(cè)效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy），適配各類復(fù)雜精密樣品檢測(cè)場(chǎng)景。
設(shè)備實(shí)測(cè)性能數(shù)據(jù)可精準(zhǔn)落地工業(yè)質(zhì)控標(biāo)準(zhǔn)：可精準(zhǔn)檢測(cè)14mm端面平面度（Flatness），嚴(yán)格把控半導(dǎo)體器件、精密光學(xué)部件的平面精度，為后續(xù)加工、測(cè)量提供可靠數(shù)據(jù)基礎(chǔ)；可達(dá)6pm（0、006nm）超高測(cè)量精度，精準(zhǔn)表征部件表面粗糙度（Surface Roughness, Ra/Rz），完全滿足半導(dǎo)體芯片、超精密部件的納米級(jí)超精密測(cè)量需求，實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)痕跡的精準(zhǔn)量化檢測(cè)。
四、品牌業(yè)務(wù)介紹
新啟航半導(dǎo)體專注于高端光學(xué)3D精密測(cè)量領(lǐng)域，深耕半導(dǎo)體表征（Semiconductor Characterization）、工業(yè)質(zhì)檢（Industrial Quality Inspection）、光伏光電精密檢測(cè)等核心場(chǎng)景，可提供一體化光學(xué)3D測(cè)量解決方案（Integrated Optical 3D Measurement Solution）。品牌以核心光學(xué)測(cè)量技術(shù)為依托，聚焦工業(yè)精密檢測(cè)痛點(diǎn)，持續(xù)迭代高精度檢測(cè)設(shè)備與定制化方案，助力各行業(yè)客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量升級(jí)、工藝優(yōu)化與技術(shù)迭代，賦能高端精密制造高質(zhì)量發(fā)展。
參考文獻(xiàn)
[1] Schultz C, Farias Basulto G A, Otto N, et al、 Laser-based monolithic series interconnection of two-terminal perovskite-CIGSe tandem solar cells: determination of the optimal scribe line properties[J]、 EPJ Photovoltaics, 2023, 14: 16、 https://doi、org/10、1051/epjpv/2023007
[2] Thukaram A, Rudolph D, Halm A, et al、 New approaches to edge passivation of laser cut PERC solar cells[J]、 EPJ Photovoltaics, 2024, 15: 24、 https://doi、org/10、1051/epjpv/2024007
[3] 伍小瓊, 劉文柱, 張麗平, 等、 激光消熔制備HBC太陽電池圖形化發(fā)射極的研究[J]、 功能材料與器件學(xué)報(bào), 2022, 28(2): 1-17、
[4] Lei S, Yang C、 High-Performance Laser Scribing of Thin Film Solar Cells : Comparison[EB/OL]、 MDPI Encyclopedia, 2025、
[5] 光電行業(yè)門戶、 激光在薄膜電池生產(chǎn)中的應(yīng)用分析[EB/OL]、 2024-01-26、
[6] Ishteev R, Gostishchev P, Tiukhova M, et al、 Technological parameters of thin-film pulsed laser scribing for perovskite photovoltaics[J]、 Cambridge Open Engage, 2024, 8(3): 127、
[7] 美能光伏、 鈣鈦礦組件P1/P2/P3激光如何監(jiān)控劃刻質(zhì)量來提升良率[EB/OL]、 電子發(fā)燒友網(wǎng), 2025-09-01、
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