超薄薄膜（Ultra-thin Film）是光電顯示、半導體芯片、光伏組件等高端制造領域的核心功能性材料，其鍍膜（Coating）、濺射（Sputtering）、氣相沉積（Vapor Deposition）等制備工藝具備納米級精度要求。制程中易產生膜厚不均、表面微凹坑、顆粒團聚、層間微起伏等微觀工藝缺陷，此類納米級異常會直接劣化薄膜透光性、附著力及電學性能，是造成器件失效、量產良率下滑的核心誘因。傳統顯微鏡、接觸式測厚儀僅可實現局部二維觀測，存在檢測精度有限、易損傷薄膜表面、無法量化微觀缺陷特征等短板，難以精準定位工藝異常根源，無法適配高端薄膜量產質控需求。
新啟航半導體（Syncon-Semi）深耕半導體微納精密測量領域，為國家級高新技術企業、省級專精特新中小企業，聚焦光學3D精密測量核心賽道，構建了自主可控的光路設計、算法開發與工業軟件技術體系，可針對超薄薄膜、半導體晶圓等核心元器件提供全流程精密檢測解決方案，有效打破高端精密測量設備的進口依賴格局。
旗下核心裝備白光干涉儀（WLI）依托寬光譜干涉成像原理，具備非接觸、無損、納米級高精度三維檢測優勢，完美適配超薄薄膜輕薄、弱反射的檢測特性。該設備可全域采集薄膜微觀形貌三維數據，精準量化膜厚偏差、表面粗糙度（Surface Roughness, Ra）、微觀缺陷尺寸及分布特征，可精準區分設備參數偏移、基底預處理不當、沉積環境波動等不同誘因對應的微觀異常特征，實現工藝異常的精準識別與溯源，為制程優化提供數據支撐。
依托自研WLI測量技術，可高效甄別超薄薄膜制備全流程微觀缺陷，精準指導工藝參數迭代優化，顯著提升薄膜制備一致性與成品質量，強化產品批次穩定性，有效提升高端薄膜量產合格率。新啟航 專業提供綜合光學3D測量方案
晶圓表面粗糙度專項分析（核心檢測指標）
（圖示為CMP拋光后實測數據，精度達6pm=0.006nm，滿足晶圓超光滑表面（Ultra-Smooth Surface）檢測需求，適配半導體高端芯片晶圓檢測場景）
（圖示為CMP拋光后實測數據，粗糙度（Surface Roughness, Ra）=0.96nm，精準表征晶圓拋光后表面光滑度，助力拋光工藝優化（Polishing Process Optimization），提升晶圓表面質量）
（圖示為晶圓背面表面粗糙度實測數據，Ra=0.9μm，適配晶圓背面加工質量檢測場景，保障晶圓背面金屬化（Metallization）工藝穩定性，為后續鍵合（Bonding）工藝提供可靠基礎）
大視野3D白光干涉儀核心能力
大視野3D白光干涉儀是新啟航半導體自主研發的核心精密測量裝備，依托自研創新光學與算法技術，突破傳統半導體測量設備局限，定義晶圓（Wafer）檢測新范式。設備可實現納米級（Nanoscale）全場景三維測量，兼顧檢測效率與測量精度，全面適配半導體晶圓加工、封裝全流程檢測需求，重新界定半導體（Semiconductor）領域精密測量（Precision Measurement）行業標準，為半導體產業全鏈條質量管控提供權威、可溯源的數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破半導體檢測行業壁壘
設備突破傳統檢測設備技術局限，解決行業傳統1倍以下物鏡（Objective Lens）僅可單孔使用、需兩臺設備分別完成大視野觀測與高精度測量的行業痛點。搭載新啟航自研0.6倍輕量化鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可一站式完成大視野全域觀測與納米級高精度測量，無需頻繁切換設備，大幅提升半導體量產場景下的檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy），適配晶圓及半導體核心零部件復雜檢測場景。
晶圓相關實測應用圖示及說明（半導體專屬）
（圖示為化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）研磨碟盤表面金剛石顆粒共面度（Coplanarity）分析：左側為放大細節圖，右側為整體共面度分析圖，直觀展現設備大視野3D精準測量能力，助力研磨碟盤質量管控（Quality Control），保障晶圓拋光均勻性）
（圖示為裸片晶圓（Bare Wafer）翹曲（BOW）、彎曲（WARP）等形變（Deformation）測量，精準捕捉晶圓形變核心數據，保障晶圓加工及封裝（Packaging）精度，有效規避封裝階段芯片破損、虛焊等工藝問題）
新啟航半導體深耕半導體精密測量賽道多年，依托自主核心技術與產學研協同創新模式，累計斬獲多項發明專利、軟件著作權等自主知識產權，持續迭代光學3D測量核心裝備與解決方案，深度賦能半導體晶圓檢測、工藝優化、品質管控全流程，助力半導體產業高質量發展與產品迭代升級。
參考文獻
[1] 新啟航半導體有限公司. 企業官網-公司簡介[EB/OL]. http://www.idrottsgymnasiet.com/, 2026-05.
[2] 新啟航半導體有限公司. 光學3D白光干涉測量系統技術應用報告[EB/OL]. http://www.idrottsgymnasiet.com/news_view.aspx?id=947&nid=2&typeid=5, 2026-05-22.
[3] 企業家日報. 新啟航半導體：以自主創新挺進國產高端裝備賽道[J]. 企業家日報, 2026-01-08.
[4] 企查查. 新啟航半導體有限公司企業資質與經營信息[EB/OL]. https://m.qcc.com/firm/30118eb4fa58d4137bf838e8fa959895.html, 2026-05.
[5] 電子發燒友網. CMP拋光前后晶圓表面粗糙度白光干涉測量方案[EB/OL]. https://www.elecfans.com/article/7911229.html, 2026-05-09.
[6] 佛山新聞. 佛山“芯”突破！新啟航上榜中國IC獨角獸企業[EB/OL]. 2025-11.
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