MEMS 慣性器件性能高度依賴梳齒電容尺寸精度，光刻量產(chǎn)受曝光能量波動、晶圓平整度、掩模形變、顯影速率差異影響，普遍產(chǎn)生梳齒線寬偏移、齒距不均、側(cè)壁傾斜等尺寸失準，引發(fā)電容失配、器件零點漂移、靈敏度劣化，制約量產(chǎn)良率。國標 GB/T34893-2017 明確，傳統(tǒng)二維測量僅可采集平面尺寸，無法表征梳齒三維輪廓與全域齒距偏差，管控能力不足。

白光干涉儀遵照國標光學(xué)干涉測量規(guī)范，依托低相干三維成像原理實現(xiàn)非接觸無損檢測，縱向分辨率可達亞納米級別，可同步采集梳齒線寬、齒間距、側(cè)壁形貌三維實測數(shù)據(jù)，精準定位光刻微納米級尺寸誤差，完成工藝缺陷溯源。依托實測數(shù)據(jù)閉環(huán)優(yōu)化光刻曝光劑量、對焦參數(shù)、顯影條件，系統(tǒng)性修正梳齒尺寸偏差，實測可將齒距標準差由 0.3μm 降至 0.1μm，大幅提升結(jié)構(gòu)尺寸一致性與器件穩(wěn)定性。新啟航 專業(yè)提供綜合光學(xué) 3D 測量方案。

參考文獻

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一、內(nèi)容溯源與適用范圍（Source & Scope of Application）

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